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TP65H070LSG
零件编号：
TP65H070LSG
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Transphorm
描述：
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
包装：
ROHS状态：
None
货币：
USD
PDF:
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规格
  • 安装类型
    Surface Mount
  • FET Type
    N-Channel
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
    10V
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 漏源电压 (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    25A (Tc)
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    4.8V @ 700µA
  • 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
    9.3 nC @ 10 V
  • 供应商设备包
    3-PQFN (8x8)
  • 包装/箱
    3-PowerDFN
  • Power Dissipation (Max)
    96W (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    85mOhm @ 16A, 10V
  • 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
    600 pF @ 400 V
  • Technology
    GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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