Melexis推出MLX90514双输入电感传感器芯片。这款新型器件可同时处理两组线圈的信号，并在片上计算差分角度或游标角度。它专为下一代汽车应用设计，尤其适用于转向扭矩反馈、转向角度感测或转向齿条电机控制（包括线控转向实现）等系统。 当前，汽车行业正经历由电气化、自动驾驶和高级驾驶辅助系统（ADAS）共同驱动的重大变革。这些发展趋势使得车辆控制系统的复杂性大幅提升，尤其体现在需要双通道位置传感来获取精确扭矩和角度测量数据的系统中，如转向扭矩反馈、转向齿条电机控制（包括线控转向实现）等。长期以来，将两个单通道IC相结合或采用磁性传感器，一直是许多应用场景的传统解决方案。但在特定场景下，采用替代方案能够更有效地降低系统的复杂性和成本。 双输入MLX90514凭借在片上集成差分和游标角度计算功能，可有效应对上述挑战。该设计显著降低对主机系统处理能力的要求，使传感器设计得以更加紧凑、简洁。在电气化进程加速推进，以及替代出行应用对可靠且高性价比传感解决方案的需求持续攀升的背景下，该能力的重要性愈发凸显。 迈来芯首款双电感式ASSP 作为迈来芯推出的首款双电感式特定应用标准产品（ASSP），MLX90514拥有灵活的接口选项（独立模块配备SENT、SPC和PWM接口，嵌入式模块采用SPI接口）并集成片上处理能力。该芯片能够直接在传感器端完成复杂位置信息的计算（如差分角度或游标角度），显著降低系统工作量，无需使用多个IC，从而有效简化设计复杂度，并减少物料清单（BOM）中的元件数量。此外，其SENT/SPC输出支持高达24位的有效载荷，能够以高保真方式同步传输两个12位通道的数据——这对于实现高精度扭矩和角度传感至关重要。 MLX90514专为要求严苛的汽车应用设计，它集成一系列先进功能，旨在提升传感性能的同时，简化系统设计： ✔ 零延迟同步双通道操作：在关键的汽车系统中，延迟是影响实时高精度位置传感性能的关键因素，而MLX90514有效解决此问题。 ✔ 外部PWM信号集成：该器件提供附加输入端口，能够读取来自外部源（如磁性传感器）的PWM信号。借助此特性，MLX90514能够在单个器件内整合并处理多圈角度及扭矩数据，从而提供全面的传感解决方案。 ✔ 支持紧凑线圈设计与更密度PCB布局：MLX90514具备处理微小电感输入信号的能力，因此可支持紧凑的线圈设计和更密集的PCB布局。这有助于开发体积更小、集成度更高的传感模块，且无需牺牲任何性能表现。 ✔ 支持ASIL D级传感系统： 针对汽车转向扭矩和角度的应用，MLX90514提供符合汽车安全完整性等级D（ASIL D）标准的独立安全元件，为系统提供最高级别的功能安全保障。 Melexis 产品线总监 Lorenzo Lugani 表示： MLX90514堪称一款具有划时代意义的变革性产品。基于对电感传感技术的深刻理解，我们精心打造出这款双输入芯片（IC），旨在应对汽车系统日益增长的复杂度。它不仅是一款全新产品，更是一套综合性解决方案，集简化设计流程、削减物料清单（BOM）成本，以及实现关键数据同步零延迟传输功能于一体。如今，工程师们可拥有一款性能强劲且极具性价比的传感器，将其广泛应用于线控转向、扭矩传感等前沿领域，为下一代电气化与自动驾驶汽车的蓬勃发展铺就坦途。 依托迈来芯丰富的行业经验和专业的应用支持，这款传感器已成为持续拓展的电感产品组合的核心一环。它将助力客户从单一可信赖的供应商处获取丰富的创新型电感解决方案。 联系我们 contact us MLX90514电感式传感器接口芯片现已上市。如需了解更多信息，请访问 MLX90514 或直接 联系我们。

当前，500 V 与 1000 V 汽车逆变器广泛应用于中型商用电动车、电动乘用车的动力传动系统，是实现电能转换、保障车辆正常行驶的核心部件，但其运行中易产生电磁干扰，不仅可能影响电池性能与整车 EMC 合规性，还可能延长系统开发与认证周期。TDK推出标准化 EMC 滤波器系列 ——CarXield（订购代码：B84252x）正是专为这类逆变器设计，可针对性解决电磁干扰问题，为汽车行业尤其是中型电动汽车制造商带来兼顾性能与效率的技术解决方案。 缩短开发周期，提升EMC性能保障平台稳定 对于系统集成商而言，CarXield 系列的一大优势在于能显著缩短开发周期。它提供符合汽车标准验证的紧凑 EMI 方案，同时借助简化的标准化生产流程实现快速供应，这一特性可助力中型电动汽车制造商更快地将产品推向市场，在激烈的行业竞争中占据先机。 在整车性能提升方面，CarXield 同样表现出色。通过有效抑制逆变器对电池的干扰，它能增强整车动力系统的 EMC 性能，进而简化电驱应用的合规认证流程。要知道，逆变器在电池线路中产生的噪声对电磁抗扰度与辐射发射的合规认证至关重要，而 CarXield 正是专门针对这一问题设计，可确保 xEV 平台稳定运行。 优异参数配置 + 灵活集成方案适配多元需求 从产品参数来看，CarXield 系列具备优异的性能表现。其尺寸为 140 x 59 x 50.0 mm（长 x 宽 x 高），适用于电压为 500 V 和 1000 V 的系统；在环境温度为 + 85 °C 时，最大额定电流可达 400 A，瞬态峰值电流最大能达到 1000 A，且典型直流电阻仅为 0.1 mΩ。此外，该滤波器采用纳米晶磁芯技术，集成了 X2 或 Y2 电容及被动放电电路，即便在严苛工况下也能确保高耐用性。 考虑到不同开发需求，CarXield 系列提供了灵活的集成方案。它不仅有带或不带铜排的版本可选，还提供钝化表面处理选项，开发人员可根据实际的热性能和空间布局要求进行调整，无需受固定方案的局限。 权威认证加持 + 明确应用场景夯实使用价值 值得一提的是，CarXield 系列产品已获得多项汽车标准认证，如 AEC-Q200，并且通过了 MBN LV 124 试验验证，充分证明了其在质量和性能上的可靠性，能够满足汽车行业严格的标准要求。 该系列产品主要应用于商用电动车和电动乘用车的传动系统，用于 EMI 噪声抑制，是 xEV 动力系统的标准化解决方案，且针对中型电动汽车制造商的动态需求定制打造，安装快捷、结构紧凑的特点进一步提升了其在实际应用中的便利性。 特性和应用 主要特点和优势 适用于xEV动力系统的标准化解决方案 针对中型电动汽车制造商的动态需求定制打造 采用纳米晶磁芯和X2/Y2电容 集成被动放电电路 安装快捷 结构紧凑 主要应用 商用电动车和电动乘用车的传动系统中的EMI噪声抑制

在这个充满机遇与挑战的时代，合作与创新成为企业持续发展的核心动力。9月初，青岛迎来了一场行业盛世--两年一度的 Molex 莫仕亚太南区代理商大会，以其专业的视角、深刻的洞察和热烈的氛围，再次展现了渠道的力量。 本届大会围绕“From Expectation to Innovation”主题，旨在引导合作伙伴从对未来的期待，迈向创新驱动的发展新篇章。来自全球的行业专家和代理商齐聚一堂，共同参与这场充满洞见与启发的盛会。 1 聚焦行业前沿，洞察市场趋势 本次大会围绕车用、AI、服务器、消费电子等关键市场展开深入讨论。随着智能化、数字化的不断推进，未来的市场格局将更加多元与创新，Molex 莫仕将继续引领技术革新，为合作伙伴提供更具竞争力的解决方案。另外，为了协助代理商因应全球商业与新科技带来的各种挑战，针对当今热门的关税与进出口规范、AI工具应用与策略营销、NPI等重要议题深入分享。透过丰富的议程与互动交流，与会者收获满满，对未来市场布局充满信心。 2 精彩纷呈的议程，激发无限可能 大会安排了丰富的内容，涵盖战略布局、技术创新、法规合规等多个层面： 01 业务展望 全球销售与市场事业部总裁Murat的视频开场引领大家展望2025年的业务蓝图，以及全球分销业务副总裁Jennifer Paukert 及亚太南区分销高级总监Rudy Liu 分享全球与亚太南区的最新业务发展。 02 法律与合规风险管理 在全球贸易环境日益复杂的背景下， Das Aradhana（Guardian合规与道德副总裁）Sandy Schadd (国际贸易合规经理)和Jenny Sun (商业合规经理)带来法律合规的分享，帮助代理商应对挑战。 03 互动交流 Town Hall环节，主管与代理商面对面，畅所欲言，增进理解与合作。 04 策略营销 全球销售与分销市场总监Jen Corba 剖析AI与大语言模型在市场推广中的应用策略，为代理商点亮数字化转型的灯塔。 05 技术前沿 由Randy Laurence (智联出行解决方案事业部战略副总裁) Kong Min (CMS产品营销区域总经理) 分别就车用市场的重点应用趋势与未来发展方向，展开深入探讨。Robin Sun （消费及商用产品事业部业务开发总监）分享在家用与商用产品的最新动向。Steven Cui (数据通信专业解决方案事业部销售总监)分享服务器与云端市场技术的突破。 06 数字转型与新产品 Ella Mo (客户服务经理) 分享数字化转型的最新实践。Lee Thomas (全球代理商项目经理) 展示NPI(新产品导入)成果，彰显 Molex 莫仕持续创新的决心。 3 携手共赢，迈向未来 本次会议不仅是知识的盛宴，更是合作的桥梁。Molex 莫仕以其领先的技术、卓越的产品和真诚的合作精神，赢得了代理商的高度认可。正如大会所强调的“The Power of the Channel”我们始终坚信渠道的力量，未来的成功离不开合作伙伴的共同努力。感谢所有参与者的热情投入，让这场盛会充满活力与意义，携手并进，共创未来！

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）宣布与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比贝格，以下简称&ldquo;英飞凌&rdquo;）就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作，推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商。未来，用户可同时从罗姆与英飞凌采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升用户在设计与采购环节的便利性。 英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer表示 &ldquo;我们很高兴能够通过与罗姆的合作进一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作将为客户在设计和采购流程中提供更丰富的选择与更大的灵活性，同时还有助于开发出能够推动低碳进程的高能效应用方案。&rdquo; 罗姆董事兼常务执行官 功率器件事业部负责人伊野和英表示 &ldquo;罗姆的使命是为客户提供最佳解决方案。与英飞凌的合作将有助于拓展我们的解决方案组合，同时也是实现这一目标的重要一步。我们期待通过此次合作，能够在推进协同创新的同时降低复杂性，进一步提升客户满意度，共同开拓功率电子行业的未来。&rdquo; 英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer（左） 罗姆董事兼常务执行官 伊野和英（右） 作为此次合作的一部分，罗姆将采用英飞凌创新的SiC顶部散热平台（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封装）。该平台将所有封装统一为2.3mm的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。 同时，英飞凌将采用罗姆的半桥结构SiC模块&ldquo;DOT-247&rdquo;，并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的Double TO-247 IGBT产品组合新增SiC半桥解决方案。罗姆先进的DOT-247封装相比传统分立器件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个TO-247封装连接的独特结构，较TO-247封装降低约15%的热阻和50%的电感。凭借这些特性，该封装的功率密度达到TO-247封装的2.3倍。 罗姆与英飞凌计划今后将不仅在硅基封装，还将在SiC、GaN等各类封装领域进一步扩大合作。此举也将进一步深化双方的合作关系，为用户提供更广泛的解决方案与采购选择。 SiC功率器件通过更高效的电力转换，不仅增强了高功率应用的性能表现，在严苛环境下展现出卓越的可靠性与坚固性，同时还使更加小型化的设计成为可能。借助罗姆与英飞凌的SiC功率器件，用户可为电动汽车充电、可再生能源系统、AI数据中心等应用开发高能效解决方案，实现更高功率密度。 > END <

在当今快速发展的电子科技时代，高效、稳定的电源管理解决方案已成为各类电子设备不可或缺的核心部件。宝砾微电子以深厚的技术积累和创新能力，推出了PL62005&mdash;&mdash;单串27W全集成快充协议SOC卓越的性能与广泛的应用适配性，为各类电子设备提供了理想的电源管理解决方案。 PL62005:单串27W全集成快充协议SOC 产品核心特性 宽输入电压范围：PL62005支持 3.0V至32V 的宽输入电压范围，专为单节锂电池电源场景设计。 高开关峰值电流：提供高达 20A 的可编程开关峰值电流，可灵活应对各种功率需求，无论是高功率的快速充电还是大电流的设备供电，都能轻松实现。 多种开关频率可选：具备 150KHz和300KHz 两种可选开关频率，用户可以根据实际应用需求选择合适的频率，以优化系统效率和性能。 精细的电压与电流调节：支持以10mV的最小步长进行电压设置，以及10mA级别的电流调节，确保充电和放电过程中的精密调控，满足不同设备对电源精度的严格要求。 高效能量转换：最高转换效率可达97%，显著提升了整体能效，减少了能量损耗，延长了设备的使用时间。 全面的保护机制：内置欠压、过压、过流、短路以及温度等多重保护机制，确保在各种异常情况下均能迅速响应，防止系统损坏，保障设备的安全运行。 灵活的封装与集成：采用QFN5x5-48封装，不仅有助于实现紧凑布局，还兼顾了散热与高效信号传输的要求。同时，通过外置功率MOS的配合，能够灵活实现升压放电和降压充电。 技术优势 全协议集成：PL62005集成了全快充协议，支持AACC，集成协议，能够轻松搭配通用MCU，实现与USB口的双向输入输出。 智能电源路径管理：通过集成的电源路径管理功能，PL62005能够在充电和放电之间无缝切换，确保设备在不同工作模式下的稳定性和高效转换。 高精度控制：支持I2C通信接口，可实现对充电和放电过程的精确控制，满足不同设备对电源精度的严格要求。 应用场景 PL62005凭借其高性能与灵活性，适用于多种应用场景： 移动电源与充电宝：为移动电源提供高效、稳定的充放电管理，支持多种快充协议，满足用户对快速充电的需求。 智能家居设备：适用于智能门锁、智能摄像头等设备，提供可靠的电源支持，确保设备长时间稳定运行。 便携式电子设备：如平板电脑、电子阅读器等，PL62005能够有效延长设备的使用时间，同时保证充电过程的安全与高效。 工业设备：在工业控制系统中，为传感器模块、PLC控制器等设备提供稳定的电源，支持高功率需求。 方案推荐 CCAA/CCBA/单串/18-27W充电宝方案 宝砾微电子PL62005以其卓越的性能、广泛的应用场景和可靠的技术支持，成为智能电源管理的不二之选。无论是在移动电源、智能家居还是工业设备领域，PL62005都能为您的设备提供高效、稳定的电源支持。

随着汽车行业向智能化、电动化和网联化加速发展，传统12V电气系统因输出功率有限，难以满足商用车、工业设备、机器人及飞机等多样化应用场景对功率的日益增长需求。当下，行业已逐步迈向24V乃至48V系统，以适配不断演进的技术要求与实际应用需求。 在此背景下，稳先微电子有限公司重磅推出WST6系列智能高边开关芯片，专为24V电控平台设计，兼容扩展至48V，为客户提供高性能、高可靠性的解决方案。 二、产品系列介绍 1、产品概述 稳先微WST6系列产品是专为24V电控平台开发的智能高边开关芯片，采用单芯片设计，集成了驱动、MOSFET、电流检测、热保护、电压保护、EMC及多种诊断功能。该系列产品覆盖单通道、双通道、四通道，导通阻抗范围为10m&Omega;~140m&Omega;，提供DFN9&times;6-14L封装兼容BTT全系列，SOP20L封装兼容BTS系列，可实现无缝替换。 2、产品规格 &middot; 单芯片设计：对比合封类产品，可靠性更高，性能更好。 &middot; 通道配置：单通道、双通道、四通道，满足不同应用场景的需求。 &middot; 导通阻抗：9m&Omega;~140m&Omega;，提供多种选择，优化系统能效。 &middot; 封装类型：DFN9&times;6-14L和SOP20L，兼容性强，便于集成。 &middot; 研发背景：针对传统12V系统的局限性，WST6系列通过技术创新，满足现代汽车电气系统对高功率密度、高可靠性和智能化控制的需求。 表 | 稳先微高边开关WST6系列产品选型 三、技术特点与优势 1、2%高精度电流检测 WST6系列采用全球先进的专利技术，电流检测精度达到2%以内，无需校准即可满足OEM需求，这一技术提高了系统的精度和可靠性。在实际应用中，高精度电流检测能够实时监控负载状态，优化系统控制策略，提升整体性能。 2、高雪崩消磁耐量 WST6系列的雪崩消磁耐量高于竞品约20%，特别适合电动汽车、工业电机驱动、可再生能源发电、储能系统和高频开关电源等高可靠性和高鲁棒性应用场景。在面对瞬态过压、过流冲击以及高动态负载时，WST6系列能够有效保护电路，避免因异常情况导致的损坏，确保系统稳定运行。 3、低功耗待机模式 WST6系列创新性地推出了低功耗待机模式，专为驻车场景设计。在该模式下，车辆的驻车功耗仅为竞品的约四十分之一。这一功能显著降低了车辆在长时间停放时的能耗，有效延长了电池的续航能力。 这种低功耗待机模式特别贴合年轻人的用车习惯。例如，在长时间外出、出差或旅游等场景中，车辆停放时间可能超过一周。此时，低功耗待机模式能够确保车辆在再次启动时仍保有充足电量，无需担心电量耗尽，为用户带来更便捷、无忧的使用体验。 4、短路保护与可靠性 针对泵阀等应用，WST6系列提供：短路Latch、短路Restart和短路限流可调功能，短路可靠性高于竞品约20%。这一设计不仅提高了系统的安全性，还降低了因短路故障导致的停机时间，提升了系统的整体可靠性。 5、高温Ron特性衰减 WST6系列的高温Ron特性衰减性能强于竞品约50%，在极端高温场景下Ron更低，带载能力更强。这一特性使得WST6系列能够在高温环境下保持稳定的电气性能，延长芯片的使用寿命，特别适用于汽车、工业和航空航天等对高温性能要求极高的应用场景。 6、其他技术亮点 支持EMC：优化电磁兼容性，减少电磁干扰，提升系统稳定性。 热保护与电压保护：内置多重保护机制，确保芯片在异常情况下免受损坏。 三、产品应用场景 1、汽车行业 WST6系列产品广泛应用于商用车与工程机械：重卡、中卡、轻卡、客运车、特种车辆、起重机械、矿业机械、挖掘机械、道路机械、铲运机械、混凝土机械、物料搬运、桩工机械、高空作业机械、环卫机械、应急救援装备、农业机械等，覆盖汽车内饰灯、头尾灯、座椅和方向盘加热、门锁、电机、配电系统、底盘控制、比例阀、电磁阀控制等多种场景。 其高精度电流检测和短路保护功能能够有效提升汽车电气系统的可靠性和安全性，同时支持自动驾驶功能和高级驾驶辅助系统（ADAS），为未来汽车的智能化发展提供有力支持。 2、智能具身机器人 在智能具身机器人领域，WST6系列芯片可用于机器人电池安全管理系统和配电系统。作为智能配电系统的核心组件，高边驱动能够将电源高效分配到各个关键部件（如电机、传感器、控制器等），并根据机器人的工作状态动态调整输出功率，从而实现能源的高效利用。 此外，WST6系列的高边驱动具备短路保护功能。在机器人工作过程中，若出现线路短路等故障，高边驱动能够迅速检测到异常电流并立即切断电源，防止故障扩大，有效保护机器人的电路系统和硬件设备，确保机器人在复杂环境下的稳定运行和安全作业。 3、低空飞行器 WST6系列适用于无人机、电动垂直起降飞行器（eVTOL）等低空飞行器。其轻量化设计和高温性能优势能够有效提升飞行器的能效和可靠性，支持长时间、高负载的飞行任务。 4、工业电机驱动 在工业电机驱动领域，WST6系列的高雪崩耐量和高动态负载性能使其能够应对复杂的工业环境，优化电机控制效率，降低能耗，提升系统整体性能。 5、可再生能源发电 WST6系列可用于光伏逆变器和储能系统，其高雪崩耐量和高温性能优势能够有效应对极端工况，确保系统的稳定运行，提升可再生能源的利用效率。 五、24V电控平台的优势 1、高效节能 24V电控平台相比传统的12V系统，能够提供更高的功率密度，同时减少电流损耗。在高功率需求下，24V系统所需的电流更小，从而降低了线束直径和重量，减少了能量损耗，显著提升了系统的能效。 2、兼容性强 24V电控平台支持多种电气设备，并兼容多种扩展模块。这种高度的兼容性简化了系统设计，降低了开发成本，同时提升了系统的灵活性和可扩展性。 3、功能安全 24V电控平台满足汽车功能安全标准（如ASIL-C），确保系统的可靠性和安全性。通过内置的多重保护机制和诊断功能，WST6系列能够实时监控系统状态，及时发现并处理潜在故障，保障车辆和设备的安全运行。 4、智能化控制 24V电控平台支持AUTOSAR架构，便于软件升级和功能扩展。WST6系列的智能化设计使其能够与现代汽车的电子控制系统无缝对接，支持自动驾驶功能和高级驾驶辅助系统（ADAS），为未来汽车的智能化发展提供强大的技术支持。 4、提升车辆性能 通过优化电气系统，24V电控平台能够减少能量损耗，提升整车性能。WST6系列的高精度电流检测和低功耗待机模式进一步优化了系统的能效，提升了车辆的续航能力和动态响应性能。 六、市场前景 1、市场需求分析 随着汽车行业向智能化、电动化和网联化加速发展，24V电控平台的市场需求呈快速增长趋势。预计未来几年，全球24V电控平台市场规模将快速增长，主要应用领域包括汽车、工业、机器人和低空飞行器等。 2、竞争优势 WST6系列产品凭借其专利技术、优秀的性能和成本效益，在24V电控平台市场中具有显著的竞争优势。其高精度电流检测、高雪崩耐量、低功耗待机模式和高温性能衰减等特性能够满足客户高性能、高可靠性的需求。 3、合作机会 稳先微诚邀客户伙伴共同探索合作机会。通过技术合作、市场推广和联合开发，推动24V和48V电控平台的发展，实现互利共赢。我们提供定制化的解决方案，满足不同客户的需求，并通过持续的技术创新和产品升级，为客户创造更大的价值。 4、未来发展规划 稳先微将继续深耕24V和48V电控平台领域，加大研发投入，持续推出更高性能、更智能化的产品。我们致力于成为全球领先的汽车电控解决方案提供商，推动汽车行业向智能化、电动化和可持续发展的方向迈进。

PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor。 如上图，PMOS管是压控型器件，|Vgs|电压大于|Vth|电压时，内部沟道在场强的作用下导通，|Vgs|电压小于|Vth|电压时，内部沟道截止；|Vgs|电压越高，内部场强越大，导通程度越高，导通电阻Ron越小。注意，|Vgs|电压不能超过芯片允许的极限电压。 PMOS管是驱动电路常用的器件，使用时根据需求合理选择型号，应用时注意内部寄生参数，极限参数，提高产品的可靠性。 常用型号推荐：AO3401A、AO3415。 商品编码 型号 C2938368 AO3401A C2938370 AO3415 选型依据如下： ①、Ids电流，导通电阻Ron越小，允许的Ids越大； ②、开关速率，详看DATASHEET的打开、保持、关闭时间； ③、Vgs开启电压，驱动电压，极限电压； ④、Vds极限电压； ⑤、封装尺寸； PMOS 有如下寄生参数： 1、寄生二极管 使用时，要特别注意内部寄生二极管，如果接反，将导致无法关闭PMOS管；另外，某些场合可以巧用寄生二极管，比如做防反接使用时，详情请阅读后面的内容。 2、寄生电容 使用时，要特别注意GS管脚的寄生电容Cgs，控制PMOS管的导通与截止，本质上是控制Cgs电容的充放电。 如果要求PMOS快速导通与截止，此时需要驱动源能够提供足够大的驱动电流，以提供Cgs电容的瞬间充放电；如果仅仅作为开关使用，可以串电阻，以减小Cgs的充放电电流，此时对驱动源的要求就不高，单片机的IO口(推挽输出时，可以提供20mA的驱动电流)可以直接驱动。 在防反接电路中实际应用如下： 设计说明： 1、巧妙利用内部寄生二极管。上电时，通过内部寄生二极管，|Vgs|电压大于|Vth|电压，PMOS管完全导通； 2、R29，R31:电阻分压，调整|Vgs|电压，|Vgs|电压尽量大，这样，Ron越小，压降越小，损耗越低； 3、D5、稳压二极管，防止|Vgs|电压超过极限电压。 关于我们 深圳市固得沃克电子有限公司(GOODWORK)拥有经验丰富的工程技术人员以及专业的管理团队，生产产品涵盖：二极管、三极管、整流桥堆、TVS、MOS、ESD、三端稳压器全系列。 公司产品实现了全面自主研发、生产、销售，产品封装外形齐全，为客户量身定制，同时均已通过美国UL、SGS欧盟ROHS及REACH环保认证。工厂引进了具有国际水准的专业生产设备及先进检测仪器，已通过ISO9001、ISO14001国际质量管理体系认证。

在做工业控制，电机驱动，新能源电池管理系统的时候，你是否遇到过这样的问题？通信速度够快，但抗干扰不行，关键时刻掉链子？光耦延迟太大，高速接口成了瓶颈？ 往往就是一颗小小的隔离芯片，决定了整个系统的稳定性与安全性。那么，有没有一款兼顾高速、低延时、强隔离的芯片呢？ 川土微 CA-IS372x系列，就是高速隔离的新选择。 CA-IS372x：高速隔离的新选择 CA-IS372x系列是上海川土微（Chipanalog）推出的高速双通道数字隔离器，是一款高性能2通道数字隔离器，具有精确的时序特性和低电源损耗。可提供高电磁抗扰度和低辐射。所有器件版本均具有施密特触发器输入，可实现高抗噪性能。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO2) 绝缘栅隔离。既能保障高速数据传输，又能抵御复杂的电磁环境！ 扫码即可领取样品！ 图：CA-IS372x系列封装信息 图：CA-IS372x系列结构图 CA-IS372x系列产品优势 高速传输：DC~150 Mbps，轻松应对 SPI、UART、CAN 等高速接口 低延时：12ns 传播延迟，1ns 脉宽失真 强抗干扰：&plusmn;150 kV/&micro;s 共模瞬态抗扰度 高隔离：最高 5 kVrms 隔离电压，寿命 >40 年 低功耗：1.5mA/通道（1 Mbps），非常适合低功耗系统 宽电压 & 宽温度：2.5V~5.5V，-40℃~125℃ 图：CA-IS372x系列实物图 CA-IS372x系列应用场景 无论是新能源车的电池管理，还是高压电机的实时控制，CA-IS372x系列都能在高速与安全之间找到平衡。 工业自动化：PLC、智能传感器 电机控制：变频器、伺服驱动 新能源：BMS、电池管理、光伏逆变器 医疗电子：病人监护、安全隔离 电源系统：隔离电源、隔离 ADC/DAC 为什么选择川土微？ 川土微CA-IS372x系列在性能、认证、可靠性上全面对标进口产品，并已通过 UL、VDE、TUV等国际安规认证。这意味着供货更稳定，不怕断供风险，自主可控，更安心！ 图：CA-IS372x系列认证 如果你的项目正在寻找 高速、可靠、可替代进口 的隔离方案，不妨试试CA-IS372x系列。 想了解更多应用案例，欢迎联系川土微～样片申请渠道： 登录上海川土微电子股份有限公司官网（https://www.chipanalog.com）进行申请； 通过经销商渠道进行申请。

据路透社报道，英国芯片设计巨头 Arm Holdings 最近挖来了一位重量级人物，亚马逊 AWS 的AI 芯片总监 拉米&middot;辛诺（Rami Sinno）。 辛诺曾在 Arm 担任工程副总裁，2019 年跳槽至亚马逊的 Annapurna Labs，主导了 Trainium 和 Inferentia AI 芯片的研发。 在亚马逊任职期间，他从零带队设计了亚马逊自研 AI 芯片，目标就是用更低的成本、更高的能效来对标英伟达 GPU。 除了辛诺，Arm 最近还吸引了来自HPE的大规模系统设计专家Nicolas Dube，以及曾在英特尔和高通任职的工程师 Steve Halter。 显然，Arm 正在组建一个芯片核心团队。 图源：路透社 Arm 一直是全球最重要的 CPU 架构提供商，但它的商业模式是授权+专利费，并不直接造芯片。 苹果、英伟达、高通、联发科、亚马逊等巨头的芯片里，都用到了 Arm 的 IP 内核。 但这种模式的天花板也很明显，利润主要来自授权，难以直接在下游市场发力。 近两年，Arm 的管理层已经多次暗示，要从单纯的 IP 授权，逐步走向更完整的 计算子系统（CSS） 和 自主芯片封装。 图源：汤姆硬件 目前，AI 训练和推理需求的爆炸式增长，正在改变半导体市场格局。 Arm的Neoverse 架构，已经是英伟达 GB200、GB300 系统的底层 CPU 核心，但如果 Arm仅仅停留在卖IP的角色，就无法分享更多利润。 更完整的芯片方案，比如Chiplet级别的CPU模块、甚至整合的AI加速SoC，将帮助Arm拓展到更高价值链条。 Arm CEO Rene Haas 就在今年的财报会议上明确表示，公司正在探索 Chiplet 封装以及完整 CPU 的可能性，希望到 2025 年能拿下 数据中心 CPU 市场 50% 的份额。 图源：南华早报 如果 Arm 真正切入整机芯片领域，就可能与它的客户形成直接竞争。 比如高通、联发科、甚至 AWS 这样的云服务商，可能不愿意看见供应商变对手，从而加速推动 RISC-V 等替代架构的发展。 换句话说，Arm 需要在做芯片赚与维持客户信任之间找到平衡。 它会不会从幕后推手变成正面玩家，这既是 Arm 的机会，也是整个半导体行业新的变量。

一片晶圆 4.5万美元，折合人民币约 32万，相当于一辆中高端汽车的价格。这就是台积电计划在 2028 年量产的 1.4nm 工艺晶圆。 8月28日最新报道，台积电中科新厂已提前至今年10月动工，总投资金额高达 1.2&ndash;1.5 兆新台币（约 2814 亿-3517.5 亿人民币）。 1.4nm的2座厂房预计2027年底前完成风险性试产，2028年下半年正式量产，新厂初估营业额可望超过5000亿元新台币。 后续第二期二座厂，将有可能直接推进至A10（1nm）制程。 图源：南华早报 对比过去10年，台积电的晶圆成本可以说是直线上升。 2013 年，苹果 A7 芯片（28nm 工艺），每片晶圆约 5000 美元； 2020 年，A14 芯片（5nm 工艺），已经涨到 1.6 万美元； 2023 年，A18 Pro（3nm 工艺），成本 1.8 万美元； 2025 年，2nm 工艺，报价将冲到 3 万美元； 2028 年，1.4nm 预计达到 4.5 万美元。 10年间，晶圆价格翻了近9倍，当然性能也提升了几十倍。 据悉，A14 芯片基于台积电第二代全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术开发。对比2nm工艺，其性能提升了15%，功耗降低了30%，晶体管密度增加20%以上。 台积电不仅在中科新建 1.4nm 厂，同时还在多地铺开晶圆厂。 新竹宝山二厂已经调整为 1.4nm 与研发线，三厂规划 1nm，甚至不排除未来的 0.7nm。 台积电已规划在台南沙仑园区兴建1nm先进制程基地，土地面积达500公顷来看，初估可兴建10座晶圆厂。 从中国台湾到美国亚利桑那，台积电的产能地图已经把 2nm、1.4nm、1nm 全部纳入排兵布阵。 图源：techspot 目前，台积电、三星、英特尔均已布局1.4nm赛道，但技术各异。 英特尔的1.4nm工艺叫做&ldquo;Intel 14A&rdquo;，采用高数值孔径（High-NA）光刻机与背面供电技术，此前表示2026年发布，但近期英特尔频频出事，又表示将停止14A。 而三星计划在2027年量产自己的1.4nm技术，通过增加纳米片层数提升性能。但不久前有消息称，三星可能已经悄悄取消了这项计划，原因不明。 此外，台积电2nm制程如期于2025年第4季放量，代工报价已经高达3万美元（约21万人民币），据悉苹果A20芯片将首发台积电2nm工艺。 此前的客户苹果、AMD、高通、联发科、博通与英特尔产量将飙升。还有亚马逊旗下Annapurna、Google等10家大厂也已进入量产。 图源：台积电 据悉，台积电2nm晶圆厂均已在2022年动工，2025年已陆续投产。 其中，宝山、高雄至2025年底2nm月产能共计约4.5万~5万片，2026年月产能超过10万片。 再加计提前量产的美国亚利桑那州厂（Fab21）P2厂，2028年约将达20万片，而接下来的新增产能，还有以2nm为主的美国P3厂。 1.4nm 的量产未来只有少数大厂能负担得起、能设计得出、能造得出，全球半导体的格局或许也会因此越来越集中。 消息数据来源：台积电官网、经济日报

1 高速吹风机变频方案介绍 高速吹风机，特别是转速突破10万转的产品，已成为消费电子和个护领域的新标杆。相比于传统电吹风，高速吹风机的风量更大，能减少对头发的伤害，噪音更低，使用体验也更好。针对高速吹风机市场，英飞凌推出16万转及以上无感FOC的高速吹风机解决方案。该方案采用PSOC&trade; Control C3，搭配英飞凌的CoolGaN&trade; Half-Bridge IPS,能够实高达100KHz的载频控制,支持快速启停，400毫秒内可达最大转速。 方案特性如下： PWM载波频率和控制频率高达100Khz 无传感器FOC算法执行时间<8us 支持动态PWM载频变换功能（5Khz至100Khz） 兼容7/5段SVPWM，减少PWM开关损耗 支持半周期PWM更新模式，提高位置估算精度和电流环相应时间 电机参数在线识别，控制参数自适应 极强的系统方案鲁棒性，电机参数&plusmn;80% 误差仍能保持正常工作 支持速度控制、恒功率控制以恒转矩控制 支持顺风启动，无抖动静止闭环启动，可靠性100% 伪差分 ADC 采样，无需外部运放和比较器，PCB走线更简洁，噪音抑制能力更强 兼容Single/leg/3 电阻电流采样模式 支持完整的电机控制保护和 IEC60730 安全功能 电机控制解决方案已通过量产验证 2 PSOC Control C3 产品介绍 PSOC Control C3是英飞凌专门为电机控制和数字电源而设计的MCU，集成了专门针对电机应用优化的外设，支持电机常见的各种控制方式，它具有适合无感FOC控制的相关外设和亮点： 1 高性能可编程模拟子系统 高性能可编程模拟子系统 12 位12Msps SAR ADC，支持 16 个模拟通道进行并行空闲采样 每个通道都配备独立采样保持器 每个通道可独立配置增益（1、3、6、12） 所有通道都支持同步采样模式 16 个模拟通道可分配给 8 个独立的组，每组支持8路触发源 支持伪差分采样模式 每个通道集成限幅检测功能（助力过流/过压保护，减少CPU干预） 支持 ADC DMA 和 FIFO 模式，减少 CPU 干预 ADC 模拟输出可直接接入CSG 比较器进行保护 10 位 DAC 为比较器的输入提供参考电压 提供多路触发源输出（用于关键外设同步触发） 单电阻伪差分ADC采样结构图 2 灵活的TCPWM 面向不同PWM应用的灵活计数模式以及灵活的输入输出触发信号。 TCPWM用于单电阻采样 3 个TCPWM 计数器用于产生 3 对互补 PWM 信号。1个 TCPWM 计数器用作 ADC 触发信号。电机运行时，所有 4 个 TCPWM 计数器同步。 溢出事件触发 FOC 中断，并在前半个 PWM 周期内执行。 所有 GPIO 均可用作 PWM 输出引脚，从而使 PCB 布局更加简便 从 AD 采样到下一次 PWM 比较更新的时间间隔仅为约半个 PWM 周期，从而显著提升电流环 带宽和观测器性能 3 基于PSOC Control C3控制器的高速吹风机变频方案介绍 1 Demo硬件 基于PSOC Control C3 的高速吹风机Demo可以使用KIT_PSC3M5_CC2的MCU控制卡搭配高压GaN驱动板的灵活方案。 基于PSOC Control C3 MCU控制卡和高压GaN驱动板的Demo 2 系统框图 高速吹风机系统框图 ADC 支持伪差分输入采样模式 ADC 通道支持同步采样模式 内部 CSG 比较器的正相输入信号来自 ADC 引脚，反相参考信号来自 DAC 反电势相电压仅用于高反电势电压电机 3 无感FOC控制 支持3 种控制模式：转矩、功率和速度控制，具有顺风、逆风和静态直接闭环启动、死区补偿等功能。 无感FOC控制框图 4 FOC执行时间 得益于以下特性，PSOC Control C3高速吹风机的无传感器FOC算法执行时间<8us： 主频180MHz 单精度浮点运算单元(FPU)和DSP 16KB的I-Cache 基于 Arm&reg; v8-M 架构的 Arm&reg; 3 级流水线 (3PIP) 通过 I-Cache 的 AHB (C-AHB) 总线，无任何时间延迟 无传感器FOC算法执行时间 5 高速吹风机控制性能展示 吹风机加减速测试波形 50K rpm ---> 120Krpm ---> 50Krpm 吹风机稳定运行测试波形 12万转稳定运行时的相电流波形 直接闭环启动的波形 可以看出直接闭环启动非常的平稳，没有抖动，335ms到满速。 4 结语 16万转的高速吹风机的整体解决方案，采用基于32位ARM Cortex-M33内核，180MHz主频的PSOC Control C3，搭配英飞凌的CoolGaN&trade; Half-Bridge IPS，可实现100KHz开关频率单电阻FOC控制，支持快速加减速，具有损耗低、运行稳定、BOM成本低等特点。对方案感兴趣的朋友可以联系我们获取完整方案的硬件和软件资料。

TDK 推出全新 SmartMotion&reg; ICM-536xx 系列高性能六轴惯性测量单元（IMU）&mdash;&mdash; 这款专为优化拍摄体验设计的元件已启动量产，目前正通过直销渠道向特定客户开放供货。它的到来，将进一步推动光学防抖（OIS）功能在智能手机、平板电脑、相机等消费类设备中的普及，帮更多人摆脱手抖、运动干扰带来的模糊画面，轻松拍出清晰稳定的图像与视频。 15 年技术积累：InvenSense 为新系列产品保驾护航 作为 TDK 集团旗下的重要成员，InvenSense 公司在智能手机和相机原始设备制造商（OEM）高端 OIS/EIS（电子防抖）定制传感器解决方案领域，已拥有 15 年的开发经验，凭借深厚的技术积累与丰富的行业实践，为此次新系列产品的推出奠定了坚实基础。而全新 ICM-536xx 系列产品，有望将高端 OIS/EIS 功能拓展到更多移动设备中，打破此前技术应用的局限。 OIS 技术：解决日常拍摄模糊的关键 在日常拍摄中，手抖或设备运动常常会导致画面模糊，尤其在弱光环境、变焦拍摄及长曝光场景下，这种问题更为明显。OIS 技术的核心价值，就在于能有效补偿这些干扰，确保拍摄出的照片更清晰、视频更平稳。随着消费者对移动影像质量的需求不断提升，OIS 已逐渐成为中高端智能手机的标配功能。 性能优化：高 ODR 与高分辨率提升拍摄质量 此次 TDK 推出的 ICM-536xx 系列产品，在性能上实现了进一步优化。该系列支持高达 6.4 kHz 的输出数据速率（ODR），并提供高达 20 位的数据分辨率，这不仅能有效提升照片拍摄质量，还能帮助设备制造商将高级 OIS 功能集成到更广泛的设备类型中，从而满足创客群体及普通用户日益多元化的使用需求。 突破行业痛点：让 OIS 技术走向更多设备 &ldquo;长期以来，OIS 功能受限于传感器技术的成本、尺寸以及功耗，更多地被应用在高端机型上。&rdquo;TDK 集团 InvenSense 公司消费与工业运动传感事业部副总裁兼总经理 Pankaj Aggarwal 表示，&ldquo;而 TDK 全新的 ICM-536xx 系列产品，成功解决了这些关键挑战，为市场提供了封装更纤薄、功耗更低且性能可靠的主流解决方案。&rdquo; 多重实用特点：兼顾灵活部署与安全保护 除了核心性能优势，ICM-536xx 系列还具备多项实用特点：支持 UI 与 OIS 双通道接口，拥有 &plusmn;32 g / &plusmn;4000 dps 的宽量程范围（FSR），兼容带 1.2 V VDDIO 的 I3C/I2C/SPI 串行接口；超薄的封装设计便于在不同设备中灵活部署，同时支持 FSYNC 图像帧同步输入，片上自由落体检测功能还能作为 OIS 执行器的保护机制，进一步提升设备使用的安全性与稳定性。

中国上海，2025年6月3日&mdash;&mdash;全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1&ldquo;RY7P250BM&rdquo;，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。 RY7P250BM为8&times;8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现有产品。另外，新产品同时实现了更宽SOA范围*3（条件：VDS=48V、Pw=1ms/10ms）和更低导通电阻（RDS(on)）*4，由此既可确保热插拔（电源启动）工作时的更高产品可靠性，又能优化电源效率，降低功耗并减少发热量。 为了兼顾服务器的稳定运行和节能，热插拔电路必须具有较宽的SOA范围，以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路，与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A，实现业界超优性能，能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。 RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8&times;8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28m&Omega;，而RY7P250BM的导通电阻则降低了约18%&mdash;&mdash;仅有1.86m&Omega;（条件：VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃）。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。 与此同时，RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件，预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中，RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。 新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格800日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为OSAT（泰国）。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。 未来，ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。 产品介绍资料（2.1MB） ＜开发背景＞ 随着AI技术的飞速发展，数据中心的负载急剧增加，服务器功耗也逐年攀升。特别是随着配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及，如何兼顾进一步提升电力效率和支持大电流这两个相互冲突的需求，一直是个难题。在此背景下，相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。另外，在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中，需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的MOSFET，以防止浪涌电流*5和过载时造成损坏。新产品&ldquo;RY7P250BM&rdquo;在8&times;8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻，有助于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，从而提升服务器的可靠性并实现节能。 ＜产品主要特性＞ 产品型号 数据表 极性 VDSS[V] ID[A] RDS(on)Max.[m&Omega;]（VGS=10V） Ciss[pF] Qg[nC]（VGS=10V） SOA的漏极电流容许值（VDS=48V）[A] 封装名（尺寸[mm]） Pw=10ms Pw=1ms RY7P250BM Nch 100 250 1.86 11300 170 16 50 DFN8080-8S（8.0&times;8.0&times;1.0） ＜应用示例＞ ・AI（人工智能）服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路・工业设备48V系统电源（叉车、电动工具、机器人、风扇电机等）・AGV（自动导引车）等电池驱动的工业设备・UPS、应急电源系统（电池备份单元） ＜电商销售信息＞ 发售时间：2025年5月起新产品在其他电商平台也将逐步发售。产品型号：RY7P250BM ＜关于EcoMOS&trade;品牌＞ EcoMOS&trade;是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。EcoMOS&trade;产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。 ・EcoMOS&trade;是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。 ＜术语解说＞ *1）功率MOSFET 适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。 *2）热插拔电路 可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。 *3）SOA（Safe Operating Area）范围 元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。 *4）导通电阻（RDS(on)） MOSFET工作（导通）时漏极与源极间的电阻值。该值越小，工作时的损耗（功率损耗）越少。 *5）浪涌电流（Inrush Current） 在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。 ＜产品视频＞

车规级多路电源管理芯片 SA47301 / SA47321 获得 ISO 26262 ASIL D认证 2025年8月17日，国际公认的测试、检验和认证机构SGS正式为矽力杰多通道电源管理芯片SA47301/SA47321颁发ISO 26262: 2018 ASIL D产品认证证书。这是国内首颗获得国际权威机构认证的ASIL D等级多通道电源管理芯片。 矽力杰SA47301/SA47321系列电源管理芯片自面世以来，凭借其出色的性能，全面的适配性以及稳定可靠的质量，受到了广大客户的欢迎，先后在超过四十家客户完成了板级设计与验证，在超过十家客户的不同应用场景中完成了DV验证，获得了众多客户的一致好评。 SA47301/SA47321系列芯片通过了严格的AEC-Q100可靠性认证，在电子助力转向系统（EPS），电子驻车（EPB），变速箱控制单元（TCU），主动悬架，车载充电器（OBC），电池管理系统（BMS），高级驾驶辅助系统（ADAS），整车控制器（VCU），域控制器（ZCU）等多类型产品中成为了国产化替代的首选。 SA47301/SA47321 ◆ 输入电压: 3V ~ 40V ◆ 前级升压，降压稳压器 ◆ 微处理器电源，Core电源 (仅SA47321)，CAN电源，高精度电压基准电源，电压跟随LDO，待机LDO ◆ 可配置的问答式和窗口式看门狗 ◆ 为外部电源模块提供频率同步信号和电压监测功能 ◆ 独立内部电压监测模块 ◆ 独立输出复位和中断信号 ◆ 可编程延迟时间两个安全状态输出 ◆ 功能安全符合ISO26262 ASIL-D ◆ 16位SPI通信接口 ◆ 输入过压保护 ◆ 超长时间计时器（LDT） ◆ 微处理器错误信号监测 ◆ 支持多个唤醒源 ◆ 封装: QFN7&times;7-48 关于SGS SGS是国际公认的测试、检验和认证机构。其99,500名专业员工分布在115个国家及地区的2,500多个分支机构和实验室，构建起全球化服务网络。凭借超过145年的卓越经验和瑞士公司特有的精准度，帮助企业达到质量、合规与可持续发展的最高标准。发展至今，SGS业务包含互联与产品、工业与环境、营养与健康、自然资源、管理与保证五大战略版图。 关于矽力杰 矽力杰成立于2008年，坚持自主创新，布局全球，做模拟芯片行业的技术领跑者，在汽车远程通讯单元T-Box系统，汽车信息娱乐系统，智能座舱系统，BMS电池管理系统，车身，接口区域控制系统，及高压应用Traction/OCB/DC-DC均有完整的芯片解决方案。汽车芯片全面覆盖电源管理，电池管理，功率器件，LED驱动，马达驱动，光传感，音频功放，放大器，MCU等模拟芯片及信号链解决方案。 矽力杰致力于为您提供全球最优的芯片解决方案， 更多方案，敬请持续关注。 矽力杰官网： https://www.silergy.com 地址： 杭州市滨江区联慧街6号矽力杰大厦 联系电话： +86-571-87759971

&ldquo; 三星企业级内存3200系列的32G与64G型号正经历着前所未有的市场变局。2025年以来，从原厂产能调整到下游需求爆发，多重因素交织，让这些内存型号的价格与供需关系成为行业焦点。32G从130美金涨到240美金报价；64G从250美金涨到500多美金报价，市场更出现接近700美金报价；如此高价下，竟依然一片难求。D4缺货高涨的原因到底为何？ 01 供应端：产能收缩下的结构性短缺 ●三星作为内存市场的 &ldquo;巨擘&rdquo;，其产能策略的每一次变动都牵动着市场神经。 4月，三星发布EOL通知：计划2025-12全面停产1y/1z nm 8 Gb、16 Gb DDR4颗粒，并关闭华城Line17部分机台。7月修正：HBM3E（12Hi 36 GB）良率仅42 %，低于内部阈值55 %，导致先进制程产能空转；为填补折旧完毕的1z nm机台稼动率，DDR4投片量延长12个月，但wafer分配量仍比2025-Q1减少约35%。8月实际to-pack产出：8Gb颗粒180K wafer/月&rarr;110K wafer/月；16Gb（单die）由多晶切割改为2&times;8Gb stacking，16Gb单die供应趋零。企业级32GB（2Rank&times;16）与64GB（4Rank &times;16）模组所用16Gb颗粒直接受限，导致Rank结构被迫从x8改为x16，进一步抬高模组厂RMA风险，小厂退出供应。这使得其32G与64G的3200系列内存供应陷入紧张。 ●同一时期，美光与SK hynix也在缩减DDR4产能。 SK：5月投片结构中DDR4占18%，8月已降至12%；M16厂新增机台全部用于1cnm DDR5/HBM。16Gb DDR4颗粒仅保留CJR-D车规级，需额外8周burn-in，服务器级64GB RDIMM已停止接单。 美光：6月，标准温度规格DDR4 16Gb颗粒进入EOL，仅保留-40&deg;C~105&deg;C车规级版本；晶圆厂B2（Boen）8月投片40K/月，其中80%转向1&beta; nm LPDDR5X。 企业级模组用16Gb DDR4颗粒供应缺口扩大，美光自有模组厂Crucial把64GB RDIMM优先级调至车规客户，服务器渠道交货周期由6周延长至14-16周。 而台系与大陆厂商短期内难以填补缺口，南亚科8月产出的19nm 8Gb晶圆，90%被用于生产16GB条，32GB与64GB颗粒供给几乎可以忽略；华邦、长鑫仍聚焦4Gb/8Gb消费级，尚未切入服务器ECC用颗粒领域。 02 需求端：刚性需求催生抢购潮 云与互联网领域掀起的服务器采购浪潮，成为推动三星32G与64G 3200系列内存需求的关键力量。 云服务厂商： 阿里、腾讯、字节、AWS-CN等企业Q3 服务器招标总量约420K台，平台锁定Intel Ice Lake-SP或AMD Milan，主板设计2022-2023完成，无法切换DDR5。 其中单机内存配置：64GB RDIMM占74%，32GB占26%。 通信与边缘计算：5G BBU vDU系统生命周期2026-2027，Intel Xeon D-2700平台仅支持DDR4-3200。32GB条需求约300K/年，但原厂已无对应8Gb/16Gb颗粒配额，缺口持续扩大。 金融与 HFT：低延迟服务器仍使用DDR4-3200 CL22规格，32 GB&times;8配置，2025-Q4订单已排至2026-Q1。 03 价格驱动：多重因素推高内存成本 当前市场的供需缺口十分明显，预计2025年第四季度，全球服务器DDR4需求达110M Gb，而供应仅为82M Gb，缺口高达25%。 同时，主流服务器主板QVL锁定1ynm/1znm颗粒，更换颗粒需500-1000小时验证，形成了极高的认证壁垒，限制了其他替代品进入市场。 虽然DDR5-4800 64G RDIMM现价更加便宜，但由于平台不兼容，无法平抑DDR4价格。 04 未来预测：价格波动中的市场转折 2025年第四季度，企业级 32GB/64GB DDR4-3200 RDIMM仍将处于供应缺口期，价格有进一步上涨空间。 2026年起，DDR4退出市场已成定局，价格虽将逐步回落，但受认证锁定与长尾需求制约，回落节奏存在不确定性。 对于必须在2025-2026年交付的Ice Lake/Milan服务器项目，现阶段锁定32GB/64GB DDR4物料是唯一可行的选择。 在这场内存市场的变局中，企业唯有精准把握市场动态，才能在存储需求的浪潮中站稳脚跟。