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制造商
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API Delevan
Ohmite
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TOKIN (KEMET)
KYOCERA AVX
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Nexperia
WeEn Semiconductors Co., Ltd
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博客
2025-09-01 17:04:04
PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor。 如上图，PMOS管是压控型器件，|Vgs|电压大于|Vth|电压时，内部沟道在场强的作用下导通，|Vgs|电压小于|Vth|电压时，内部沟道截止；|Vgs|电压越高，内部场强越大，导通程度越高，导通电阻Ron越小。注意，|Vgs|电压不能超过芯片允许的极限电压。 PMOS管是驱动电路常用的器件，使用时根据需求合理选择型号，应用时注意内部寄生参数，极限参数，提高产品的可靠性。 常用型号推荐：AO3401A、AO3415。 商品编码 型号 C2938368 AO3401A C2938370 AO3415 选型依据如下： ①、Ids电流，导通电阻Ron越小，允许的Ids越大； ②、开关速率，详看DATASHEET的打开、保持、关闭时间； ③、Vgs开启电压，驱动电压，极限电压； ④、Vds极限电压； ⑤、封装尺寸； PMOS 有如下寄生参数： 1、寄生二极管 使用时，要特别注意内部寄生二极管，如果接反，将导致无法关闭PMOS管；另外，某些场合可以巧用寄生二极管，比如做防反接使用时，详情请阅读后面的内容。 2、寄生电容 使用时，要特别注意GS管脚的寄生电容Cgs，控制PMOS管的导通与截止，本质上是控制Cgs电容的充放电。 如果要求PMOS快速导通与截止，此时需要驱动源能够提供足够大的驱动电流，以提供Cgs电容的瞬间充放电；如果仅仅作为开关使用，可以串电阻，以减小Cgs的充放电电流，此时对驱动源的要求就不高，单片机的IO口(推挽输出时，可以提供20mA的驱动电流)可以直接驱动。 在防反接电路中实际应用如下： 设计说明： 1、巧妙利用内部寄生二极管。上电时，通过内部寄生二极管，|Vgs|电压大于|Vth|电压，PMOS管完全导通； 2、R29，R31:电阻分压，调整|Vgs|电压，|Vgs|电压尽量大，这样，Ron越小，压降越小，损耗越低； 3、D5、稳压二极管，防止|Vgs|电压超过极限电压。 关于我们 深圳市固得沃克电子有限公司(GOODWORK)拥有经验丰富的工程技术人员以及专业的管理团队，生产产品涵盖：二极管、三极管、整流桥堆、TVS、MOS、ESD、三端稳压器全系列。 公司产品实现了全面自主研发、生产、销售，产品封装外形齐全，为客户量身定制，同时均已通过美国UL、SGS欧盟ROHS及REACH环保认证。工厂引进了具有国际水准的专业生产设备及先进检测仪器，已通过ISO9001、ISO14001国际质量管理体系认证。
固得沃克PMOS在防反接电路中的实际应用
2025-09-01 17:04:05
在做工业控制，电机驱动，新能源电池管理系统的时候，你是否遇到过这样的问题？通信速度够快，但抗干扰不行，关键时刻掉链子？光耦延迟太大，高速接口成了瓶颈？ 往往就是一颗小小的隔离芯片，决定了整个系统的稳定性与安全性。那么，有没有一款兼顾高速、低延时、强隔离的芯片呢？ 川土微 CA-IS372x系列，就是高速隔离的新选择。 CA-IS372x：高速隔离的新选择 CA-IS372x系列是上海川土微（Chipanalog）推出的高速双通道数字隔离器，是一款高性能2通道数字隔离器，具有精确的时序特性和低电源损耗。可提供高电磁抗扰度和低辐射。所有器件版本均具有施密特触发器输入，可实现高抗噪性能。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由二氧化硅(SiO2) 绝缘栅隔离。既能保障高速数据传输，又能抵御复杂的电磁环境！ 扫码即可领取样品！ 图：CA-IS372x系列封装信息 图：CA-IS372x系列结构图 CA-IS372x系列产品优势 高速传输：DC~150 Mbps，轻松应对 SPI、UART、CAN 等高速接口 低延时：12ns 传播延迟，1ns 脉宽失真 强抗干扰：±150 kV/µs 共模瞬态抗扰度 高隔离：最高 5 kVrms 隔离电压，寿命 >40 年 低功耗：1.5mA/通道（1 Mbps），非常适合低功耗系统 宽电压 & 宽温度：2.5V~5.5V，-40℃~125℃ 图：CA-IS372x系列实物图 CA-IS372x系列应用场景 无论是新能源车的电池管理，还是高压电机的实时控制，CA-IS372x系列都能在高速与安全之间找到平衡。 工业自动化：PLC、智能传感器 电机控制：变频器、伺服驱动 新能源：BMS、电池管理、光伏逆变器 医疗电子：病人监护、安全隔离 电源系统：隔离电源、隔离 ADC/DAC 为什么选择川土微？ 川土微CA-IS372x系列在性能、认证、可靠性上全面对标进口产品，并已通过 UL、VDE、TUV等国际安规认证。这意味着供货更稳定，不怕断供风险，自主可控，更安心！ 图：CA-IS372x系列认证 如果你的项目正在寻找 高速、可靠、可替代进口 的隔离方案，不妨试试CA-IS372x系列。 想了解更多应用案例，欢迎联系川土微～样片申请渠道： 登录上海川土微电子股份有限公司官网（https://www.chipanalog.com）进行申请； 通过经销商渠道进行申请。
国产隔离芯片上新！川土微CA-IS372x系列隔离芯片！
2025-09-01 17:04:07
据路透社报道，英国芯片设计巨头 Arm Holdings 最近挖来了一位重量级人物，亚马逊 AWS 的AI 芯片总监 拉米·辛诺（Rami Sinno）。 辛诺曾在 Arm 担任工程副总裁，2019 年跳槽至亚马逊的 Annapurna Labs，主导了 Trainium 和 Inferentia AI 芯片的研发。 在亚马逊任职期间，他从零带队设计了亚马逊自研 AI 芯片，目标就是用更低的成本、更高的能效来对标英伟达 GPU。 除了辛诺，Arm 最近还吸引了来自HPE的大规模系统设计专家Nicolas Dube，以及曾在英特尔和高通任职的工程师 Steve Halter。 显然，Arm 正在组建一个芯片核心团队。 图源：路透社 Arm 一直是全球最重要的 CPU 架构提供商，但它的商业模式是授权+专利费，并不直接造芯片。 苹果、英伟达、高通、联发科、亚马逊等巨头的芯片里，都用到了 Arm 的 IP 内核。 但这种模式的天花板也很明显，利润主要来自授权，难以直接在下游市场发力。 近两年，Arm 的管理层已经多次暗示，要从单纯的 IP 授权，逐步走向更完整的 计算子系统（CSS） 和 自主芯片封装。 图源：汤姆硬件 目前，AI 训练和推理需求的爆炸式增长，正在改变半导体市场格局。 Arm的Neoverse 架构，已经是英伟达 GB200、GB300 系统的底层 CPU 核心，但如果 Arm仅仅停留在卖IP的角色，就无法分享更多利润。 更完整的芯片方案，比如Chiplet级别的CPU模块、甚至整合的AI加速SoC，将帮助Arm拓展到更高价值链条。 Arm CEO Rene Haas 就在今年的财报会议上明确表示，公司正在探索 Chiplet 封装以及完整 CPU 的可能性，希望到 2025 年能拿下 数据中心 CPU 市场 50% 的份额。 图源：南华早报 如果 Arm 真正切入整机芯片领域，就可能与它的客户形成直接竞争。 比如高通、联发科、甚至 AWS 这样的云服务商，可能不愿意看见供应商变对手，从而加速推动 RISC-V 等替代架构的发展。 换句话说，Arm 需要在做芯片赚与维持客户信任之间找到平衡。 它会不会从幕后推手变成正面玩家，这既是 Arm 的机会，也是整个半导体行业新的变量。
重磅，Arm 挖走 AWS 顶级芯片设计师！
2025-09-01 17:04:06
一片晶圆 4.5万美元，折合人民币约 32万，相当于一辆中高端汽车的价格。这就是台积电计划在 2028 年量产的 1.4nm 工艺晶圆。 8月28日最新报道，台积电中科新厂已提前至今年10月动工，总投资金额高达 1.2–1.5 兆新台币（约 2814 亿-3517.5 亿人民币）。 1.4nm的2座厂房预计2027年底前完成风险性试产，2028年下半年正式量产，新厂初估营业额可望超过5000亿元新台币。 后续第二期二座厂，将有可能直接推进至A10（1nm）制程。 图源：南华早报 对比过去10年，台积电的晶圆成本可以说是直线上升。 2013 年，苹果 A7 芯片（28nm 工艺），每片晶圆约 5000 美元； 2020 年，A14 芯片（5nm 工艺），已经涨到 1.6 万美元； 2023 年，A18 Pro（3nm 工艺），成本 1.8 万美元； 2025 年，2nm 工艺，报价将冲到 3 万美元； 2028 年，1.4nm 预计达到 4.5 万美元。 10年间，晶圆价格翻了近9倍，当然性能也提升了几十倍。 据悉，A14 芯片基于台积电第二代全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管技术开发。对比2nm工艺，其性能提升了15%，功耗降低了30%，晶体管密度增加20%以上。 台积电不仅在中科新建 1.4nm 厂，同时还在多地铺开晶圆厂。 新竹宝山二厂已经调整为 1.4nm 与研发线，三厂规划 1nm，甚至不排除未来的 0.7nm。 台积电已规划在台南沙仑园区兴建1nm先进制程基地，土地面积达500公顷来看，初估可兴建10座晶圆厂。 从中国台湾到美国亚利桑那，台积电的产能地图已经把 2nm、1.4nm、1nm 全部纳入排兵布阵。 图源：techspot 目前，台积电、三星、英特尔均已布局1.4nm赛道，但技术各异。 英特尔的1.4nm工艺叫做“Intel 14A”，采用高数值孔径（High-NA）光刻机与背面供电技术，此前表示2026年发布，但近期英特尔频频出事，又表示将停止14A。 而三星计划在2027年量产自己的1.4nm技术，通过增加纳米片层数提升性能。但不久前有消息称，三星可能已经悄悄取消了这项计划，原因不明。 此外，台积电2nm制程如期于2025年第4季放量，代工报价已经高达3万美元（约21万人民币），据悉苹果A20芯片将首发台积电2nm工艺。 此前的客户苹果、AMD、高通、联发科、博通与英特尔产量将飙升。还有亚马逊旗下Annapurna、Google等10家大厂也已进入量产。 图源：台积电 据悉，台积电2nm晶圆厂均已在2022年动工，2025年已陆续投产。 其中，宝山、高雄至2025年底2nm月产能共计约4.5万~5万片，2026年月产能超过10万片。 再加计提前量产的美国亚利桑那州厂（Fab21）P2厂，2028年约将达20万片，而接下来的新增产能，还有以2nm为主的美国P3厂。 1.4nm 的量产未来只有少数大厂能负担得起、能设计得出、能造得出，全球半导体的格局或许也会因此越来越集中。 消息数据来源：台积电官网、经济日报
1.4nm来了，1nm制程也在路上！
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