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TP65H035WS
零件编号：
TP65H035WS
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Transphorm
描述：
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 1902
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数量
单价
价格
1
14.05
14.05
30
12.81
384.3
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • FET Type
    N-Channel
  • Vgs（最大）
    ±20V
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 漏源电压 (Vdss)
    650 V
  • 包装/箱
    TO-247-3
  • 供应商设备包
    TO-247-3
  • Power Dissipation (Max)
    156W (Tc)
  • 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
    36 nC @ 10 V
  • 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    46.5A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    41mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    4.8V @ 1mA
  • 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
    1500 pF @ 400 V
  • Technology
    GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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