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TP44110HB
零件编号：
TP44110HB
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Tagore Technology
描述：
GANFET 2N-CH 650V 30QFN
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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68.8
规格
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 配置
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Technology
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A (Tc)
  • Drain to Source Voltage (Vdss)
    650V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    118mOhm @ 500mA, 6V
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    2.5V @ 11mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3nC @ 6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    110pF @ 400V
  • 包装/箱
    30-PowerWFQFN
  • 供应商设备包
    30-QFN (8x10)
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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