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QS1200SCM36
零件编号:
QS1200SCM36
产品分类:
制造商:
描述:
1200V 36AMP SiC Mosfet
包装:
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 年级
    Automotive
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C
  • FET Type
    N-Channel
  • 包装/箱
    TO-247-3
  • Technology
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 漏源电压 (Vdss)
    1200 V
  • Vgs(最大)
    +25V, -10V
  • 供应商设备包
    PG-TO247-3
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 20A, 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    36A
  • Vgs(th)(最大值)@Id
    3.8V @ 100µA
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
    2.8V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs
    60 nC @ 600 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds
    1001 pF @ 800 V
  • Power Dissipation (Max)
    198W