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IV1Q12160T4
零件编号：
IV1Q12160T4
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Inventchip Technology
描述：
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
包装：
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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库存 1706
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1
18.03
18.03
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • FET Type
    N-Channel
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 漏源电压 (Vdss)
    1200 V
  • 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
    20V
  • Vgs（最大）
    +20V, -5V
  • 供应商设备包
    TO-247-4
  • 包装/箱
    TO-247-4
  • Technology
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    195mOhm @ 10A, 20V
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    2.9V @ 1.9mA
  • 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
    43 nC @ 20 V
  • 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
    885 pF @ 800 V
  • Power Dissipation (Max)
    138W (Tc)
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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