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G3S06504C
零件编号：
G3S06504C
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Global Power Technology
描述：
DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252
包装：
ROHS状态：
None
货币：
USD
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1
3.02
3.02
规格
  • 安装类型
    Surface Mount
  • Technology
    SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电压 - 直流反向 (Vr)（最大）
    650 V
  • 速度
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr)
    0 ns
  • Operating Temperature - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • 包装/箱
    TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • 供应商设备包
    TO-252
  • 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If
    1.7 V @ 4 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr
    50 µA @ 650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)
    11.5A
  • 电容@Vr, F
    181pF @ 0V, 1MHz
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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