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EPC2012
零件编号：
EPC2012
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
EPC
描述：
GANFET N-CH 200V 3A DIE
包装：
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF:
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规格
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 包装/箱
    Die
  • 供应商设备包
    Die
  • FET Type
    N-Channel
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    2.5V @ 1mA
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Ta)
  • 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
    1.8 nC @ 5 V
  • 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
    5V
  • Technology
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏源电压 (Vdss)
    200 V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 3A, 5V
  • Vgs（最大）
    +6V, -5V
  • 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds
    145 pF @ 100 V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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