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CGD65B130S2-T13
零件编号：
CGD65B130S2-T13
产品分类：
分立半导体产品
制造商：
Cambridge GaN Devices
描述：
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
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价格
5000
3
15000
规格
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 包装/箱
    8-PowerVDFN
  • 漏源电压 (Vdss)
    650 V
  • 供应商设备包
    8-DFN (5x6)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Technology
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 场效应管特性
    Current Sensing
  • 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
    9V, 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    182mOhm @ 900mA, 12V
  • Vgs(th)（最大值）@Id
    4.2V @ 4.2mA
  • 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs
    2.3 nC @ 12 V
  • Vgs（最大）
    +20V, -1V
  • 3008513972/3008513927/3008513975
  • 13342993690

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