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CGD65A055S2-T07
零件编号:
CGD65A055S2-T07
产品分类:
描述:
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
包装:
Tape & Reel (TR)
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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价格
1000
9.54
9540
规格
  • 安装类型
    Surface Mount
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 漏源电压 (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    27A (Tc)
  • Technology
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
    12V
  • 场效应管特性
    Current Sensing
  • Vgs(最大)
    +20V, -1V
  • Vgs(th)(最大值)@Id
    4.2V @ 10mA
  • 供应商设备包
    16-DFN (8x8)
  • 包装/箱
    16-PowerVDFN
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    77mOhm @ 2.2A, 12V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs
    6 nC @ 12 V