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C3M0280090D
零件编号:
C3M0280090D
产品分类:
制造商:
描述:
SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
包装:
Tube
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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价格
1
7.5
7.5
30
5.99
179.7
120
5.36
643.2
510
4.73
2412.3
1020
4.25
4335
2010
3.99
8019.9
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • FET Type
    N-Channel
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 包装/箱
    TO-247-3
  • 供应商设备包
    TO-247-3
  • Technology
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
    15V
  • 漏源电压 (Vdss)
    900 V
  • Power Dissipation (Max)
    54W (Tc)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.5A (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id
    3.5V @ 1.2mA
  • Vgs(最大)
    +18V, -8V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 7.5A, 15V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs
    9.5 nC @ 15 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds
    150 pF @ 600 V