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C2M0280120D
零件编号:
C2M0280120D
产品分类:
制造商:
描述:
SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
包装:
Tube
ROHS状态:
Yes
货币:
USD
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数量
单价
价格
1
10.96
10.96
30
8.75
262.5
120
7.83
939.6
510
6.91
3524.1
1020
6.22
6344.4
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • FET Type
    N-Channel
  • 工作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 包装/箱
    TO-247-3
  • 供应商设备包
    TO-247-3
  • 漏源电压 (Vdss)
    1200 V
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
    20V
  • Technology
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Vgs(最大)
    +25V, -10V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Power Dissipation (Max)
    62.5W (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    370mOhm @ 6A, 20V
  • Vgs(th)(最大值)@Id
    2.8V @ 1.25mA (Typ)
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs
    20.4 nC @ 20 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds
    259 pF @ 1000 V