收藏 比较
2N7635-GA
零件编号:
2N7635-GA
产品分类:
描述:
TRANS SJT 650V 4A TO257
包装:
ROHS状态:
None
货币:
USD
RFQ 添加到RFQ列表
库存 1600
请发送询价单,我们将立即回复
快速询价
规格
  • 安装类型
    Through Hole
  • 漏源电压 (Vdss)
    650 V
  • Technology
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 供应商设备包
    TO-257
  • 包装/箱
    TO-257-3
  • Power Dissipation (Max)
    47W (Tc)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc) (165°C)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    415mOhm @ 4A
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds
    324 pF @ 35 V
  • 工作温度
    -55°C ~ 225°C (TJ)