FF3MR12KM1HHPSA1
零件编号：
FF3MR12KM1HHPSA1
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
制造商：
IR (Infineon Technologies)
描述：
FF3MR12KM1HHPSA1
包装：
Box
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Chassis Mount
- 包装/箱 Module
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- Technology Silicon Carbide (SiC)
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
- 供应商设备包 AG-62MMHB
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 190A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.44mOhm @ 280A, 18V
- Vgs(th)（最大值）@Id 5.1V @ 112mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 800nC @ 18V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 24200pF @ 800V